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| Numero di parte | BSC030P03NS3 G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25.4A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 345µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC030N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 20000 | Dettagli |
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BSC030N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 5000 | Dettagli |
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BSC030N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 10000 | Dettagli |
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BSC030N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | 0 | Dettagli | |
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BSC030P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 50000 | Dettagli |
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BSC030P03NS3GAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 50346 | Dettagli |
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BSC031N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 | - | 35000 | Dettagli |
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BSC032N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC032N03SG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON | 0 | Dettagli | |
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BSC032NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSC034N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 5000 | Dettagli |