FDS6679AZ

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
FDS6679AZ P1
FDS6679AZ P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS6679AZ

Một phần số
FDS6679AZ
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FDS6679AZ PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FDS6679AZ
Trạng thái phần Active
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 3845pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±25V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2.5W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 13A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SO
Gói / Trường hợp 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm