FDS2170N7

MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
FDS2170N7 P1
FDS2170N7 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS2170N7

Một phần số
FDS2170N7
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
FDS2170N7.pdf FDS2170N7 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FDS2170N7
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 200V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1292pF @ 100V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 3W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 128 mOhm @ 3A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SOIC
Gói / Trường hợp 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm