Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIS903DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Standard |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 6A (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 10V |
| Maksimum güç | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS902DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIS903DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 | - | 141653 | ayrıntılar |