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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIS903DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 10V |
| Leistung max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIS902DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIS903DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 | - | 141653 | Einzelheiten |