IPB049N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V TO263-3
IPB049N08N5ATMA1 P1
IPB049N08N5ATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPB049N08N5ATMA1

Parça numarası
IPB049N08N5ATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
IPB049N08N5ATMA1.pdf IPB049N08N5ATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IPB049N08N5ATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 80V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 80A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 66µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 3770pF @ 40V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 125W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 80A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-3
Paket / Durum TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ilgili ürünler

Tüm ürünler