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| 品番 | IPB049N08N5ATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.8V @ 66µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 53nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3770pF @ 40V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 125W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 0 | 詳細 | |
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IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 0 | 詳細 | |
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IPB049NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | - | 2000 | 詳細 |
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IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | - | 52850 | 詳細 |