Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPB017N06N3GATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 60V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 30V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 250W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO263-7 |
| Paket / Durum | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB017N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | - | 5000 | ayrıntılar |
 |
IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | - | 25466 | ayrıntılar |
 |
IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1000 | ayrıntılar | |
 |
IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB017N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 | 0 | ayrıntılar |