| номер части | IPB017N06N3GATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 275nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 23000pF @ 30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-7 |
| Упаковка / чехол | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB017N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | - | 5000 | подробности |
 |
IPB017N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | - | 25466 | подробности |
 |
IPB017N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 1000 | подробности | |
 |
IPB017N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7 | 0 | подробности | |
 |
IPB017N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 | 0 | подробности |
