Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | BSZ105N04NS G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 40V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 14µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 20V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Durum | 8-PowerTDFN |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | - | 4985 | ayrıntılar |
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | - | 25000 | ayrıntılar |
 |
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | - | 163639 | ayrıntılar |
 |
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | 0 | ayrıntılar | |
 |
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 30000 | ayrıntılar |
 |
BSZ105N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 287147 | ayrıntılar |