BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
BSZ100N06LS3GATMA1 P1
BSZ100N06LS3GATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ BSZ100N06LS3GATMA1

Parça numarası
BSZ100N06LS3GATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- BSZ100N06LS3GATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası BSZ100N06LS3GATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 60V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 11A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 30V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TSDSON-8
Paket / Durum 8-PowerVDFN

ilgili ürünler

Tüm ürünler