BSC072N03LDGATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
BSC072N03LDGATMA1 P1
BSC072N03LDGATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ BSC072N03LDGATMA1

Parça numarası
BSC072N03LDGATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- BSC072N03LDGATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası BSC072N03LDGATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi 2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği Logic Level Gate
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 30V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 11.5A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V
Maksimum güç 57W
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum 8-PowerVDFN
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TDSON-8 Dual

ilgili ürünler

Tüm ürünler