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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSC072N03LDGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Leistung max | 57W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSC072N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | 0 | Einzelheiten | |
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BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 20000 | Einzelheiten |
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BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 113136 | Einzelheiten |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 0 | Einzelheiten |