Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Diodes Incorporated ~ DMN3026LVTQ-7

Parça numarası	DMN3026LVTQ-7
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	30V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	6.6A (Ta)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	643pF @ 15V
Vgs (Maks.)	±20V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	1.2W (Ta)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 6.5A, 10V
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	TSOT-26
Paket / Durum	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	-	0	ayrıntılar
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	-	0	ayrıntılar
DMN3007LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8		0	ayrıntılar
DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	-	1626000	ayrıntılar
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	ayrıntılar
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	ayrıntılar
DMN3009LFVW-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	ayrıntılar
DMN3009LFVW-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	ayrıntılar