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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMN3026LVTQ-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 643pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 | 0 | Einzelheiten | |
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DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415 | - | 1626000 | Einzelheiten |
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DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | - | 0 | Einzelheiten |
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DMN3009LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | - | 326153 | Einzelheiten |
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DMN3009LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | - | 326153 | Einzelheiten |
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DMN3009LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 | - | 239421 | Einzelheiten |
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DMN3009LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 | - | 239421 | Einzelheiten |