| номер части | SQD40030E_GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | - |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | - |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD40030E_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO252AA | - | 2000 | подробности |
 |
SQD40031EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V | - | 89096 | подробности |
|
SQD40061EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V | - | 89096 | подробности |
|
SQD40081EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO252 | - | 100672 | подробности |
|
SQD40131EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252 | - | 108737 | подробности |
 |
SQD40N06-14L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 40A | - | 0 | подробности |
 |
SQD40N06-25L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SQD40N10-25_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SQD40P10-40L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 100V TO252 | - | 0 | подробности |
