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| 品番 | SQD40030E_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 65nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQD40030E_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V TO252AA | - | 2000 | 詳細 |
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SQD40031EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V | - | 89096 | 詳細 |
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SQD40061EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V | - | 89096 | 詳細 |
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SQD40081EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V TO252 | - | 100672 | 詳細 |
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SQD40131EL_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252 | - | 108737 | 詳細 |
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SQD40N06-14L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 40A | - | 0 | 詳細 |
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SQD40N06-25L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO252 | - | 0 | 詳細 |
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SQD40N10-25_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | - | 0 | 詳細 |
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SQD40P10-40L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 100V TO252 | - | 0 | 詳細 |