| номер части | SIHFR1N60ATR-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 840mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 229pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 36W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252AA) |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHFR1N60A-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA | - | 59333 | подробности |
 |
SIHFR1N60ATR-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA | - | 184337 | подробности |
