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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIHFR1N60ATR-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 840mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 229pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 36W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIHFR1N60A-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA | - | 59333 | Einzelheiten |
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SIHFR1N60ATR-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA | - | 184337 | Einzelheiten |