NXH80B120H2Q0SG

PIM 1200V 40A DUAL BOOST
NXH80B120H2Q0SG P1
NXH80B120H2Q0SG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NXH80B120H2Q0SG

номер части
NXH80B120H2Q0SG
производитель
ON Semiconductor
Описание
PIM 1200V 40A DUAL BOOST
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NXH80B120H2Q0SG PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NXH80B120H2Q0SG
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Dual Boost Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 41A
Мощность - макс. 103W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 9.7nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

сопутствующие товары

Все продукты