NXH80B120H2Q0SG

PIM 1200V 40A DUAL BOOST
NXH80B120H2Q0SG P1
NXH80B120H2Q0SG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NXH80B120H2Q0SG

Artikelnummer
NXH80B120H2Q0SG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
PIM 1200V 40A DUAL BOOST
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer NXH80B120H2Q0SG
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Dual Boost Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 41A
Leistung max 103W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.7nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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