IRLR3636TRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
IRLR3636TRPBF P1
IRLR3636TRPBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRLR3636TRPBF

номер части
IRLR3636TRPBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRLR3636TRPBF.pdf IRLR3636TRPBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRLR3636TRPBF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3779pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 143W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D-Pak
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты