IRLR3636TRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
IRLR3636TRPBF P1
IRLR3636TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLR3636TRPBF

品番
IRLR3636TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRLR3636TRPBF.pdf IRLR3636TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRLR3636TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 50A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 49nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3779pF @ 50V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 143W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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