| номер части | IRF6668TRPBF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 80V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 55A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1320pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 12A, 10V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MZ |
| Упаковка / чехол | DirectFET™ Isometric MZ |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 2918 | подробности | |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 0 | подробности | |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 1911 | подробности | |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | подробности |
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 0 | подробности | |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 0 | подробности | |
 |
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | подробности |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | подробности |
 |
IRF610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 262 | подробности |
 |
IRF610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | подробности |
