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| 品番 | IRF6668TRPBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 55A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.9V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 31nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1320pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 15 mOhm @ 12A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MZ |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MZ |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 2918 | 詳細 | |
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IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 0 | 詳細 | |
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IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 1911 | 詳細 | |
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IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |
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IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 0 | 詳細 | |
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IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 0 | 詳細 | |
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IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
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IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
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IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |
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IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | 詳細 |
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IRF610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 262 | 詳細 |
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IRF610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | 詳細 |