| номер части | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Мощность - макс. | 20mW |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Module |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 50A | - | 490 | подробности |
|
DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOD 1200V 50A | - | 490 | подробности |
