DF11MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET MODULE 1200V 50A
DF11MR12W1M1B11BOMA1 P1
DF11MR12W1M1B11BOMA1 P1
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Infineon Technologies ~ DF11MR12W1M1B11BOMA1

品番
DF11MR12W1M1B11BOMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET MODULE 1200V 50A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DF11MR12W1M1B11BOMA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Silicon Carbide (SiC)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 50A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 20mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 125nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3950pF @ 800V
電力 - 最大 20mW
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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