| номер части | GC10MPS12-252 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 50A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.8V @ 10A |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F | 660pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-2 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2 | - | 5520 | подробности |
|
GC10MPS12-252 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2 | - | 11180 | подробности |
