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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GC10MPS12-252 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 50A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F | 660pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-2 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2 | - | 5520 | Einzelheiten |
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GC10MPS12-252 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2 | - | 11180 | Einzelheiten |