| номер части | RS1DB-13-F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.3V @ 1A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 150ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AA, SMB |
| Пакет устройств поставщика | SMB |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | - | 90000 | подробности |
 |
RS1D M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 1186669 | подробности |
|
RS1D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 954495 | подробности |
 |
RS1D-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | 0 | подробности | |
 |
RS1D-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | - | 15000 | подробности |
 |
RS1D-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 0 | подробности |
 |
RS1D-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 1800 | подробности |
 |
RS1D-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V DO-214AC | - | 0 | подробности |
 |
RS1D-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V DO-214AC | - | 0 | подробности |
 |
RS1D/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 0 | подробности |
 |
RS1DB-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMB | 0 | подробности | |
 |
RS1DB-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMB | - | 36000 | подробности |
