Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | RS1DB-13-F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RS1D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | - | 90000 | Dettagli |
 |
RS1D M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 1186669 | Dettagli |
|
RS1D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 954495 | Dettagli |
 |
RS1D-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | 0 | Dettagli | |
 |
RS1D-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | - | 15000 | Dettagli |
 |
RS1D-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
 |
RS1D-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 1800 | Dettagli |
 |
RS1D-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V DO-214AC | - | 0 | Dettagli |
 |
RS1D-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1A 200V DO-214AC | - | 0 | Dettagli |
 |
RS1D/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
 |
RS1DB-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMB | 0 | Dettagli | |
 |
RS1DB-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 1A SMB | - | 36000 | Dettagli |