| номер части | GB0400005 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип | MHz Crystal |
| частота | 4MHz |
| Стабильность частоты | ±30ppm |
| Допуск частоты | ±30ppm |
| Емкость нагрузки | 16pF |
| ESR (Сопротивление эквивалентной серии) | 120 Ohm |
| Рабочий режим | Fundamental |
| Рабочая Температура | -20°C ~ 70°C |
| Рейтинги | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | HC49/US |
| Размер / размер | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Высота - сидя (макс.) | 0.138" (3.50mm) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | 0 | подробности | |
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | 0 | подробности | |
 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | 1853 | подробности | |
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | 0 | подробности | |
 |
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | 45 | подробности | |
 |
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | 176 | подробности | |
 |
GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | 54 | подробности | |
 |
GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | - | 0 | подробности |
 |
GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | 0 | подробности | |
 |
GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | 2692 | подробности | |
 |
GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | 0 | подробности |
