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| 부품 번호 | GB0400005 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 유형 | MHz Crystal |
| 회수 | 4MHz |
| 주파수 안정성 | ±30ppm |
| 주파수 허용 오차 | ±30ppm |
| 부하 용량 | 16pF |
| ESR (등가 직렬 저항) | 120 Ohm |
| 작동 모드 | Fundamental |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C |
| 평점 | - |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | HC49/US |
| 크기 / 치수 | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| 높이 장착 - 최대 (최대) | 0.138" (3.50mm) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | 0 | 세부 | |
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GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | 0 | 세부 | |
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GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | 0 | 세부 | |
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GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | 1853 | 세부 | |
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GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | 0 | 세부 | |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | 45 | 세부 | |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | 176 | 세부 | |
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GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | 54 | 세부 | |
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GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | - | 0 | 세부 |
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GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | 0 | 세부 | |
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | 2692 | 세부 | |
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GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | 0 | 세부 |