ISL9V5036S3ST_SB82170

INTEGRATED CIRCUIT
ISL9V5036S3ST_SB82170 P1
ISL9V5036S3ST_SB82170 P1
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ON Semiconductor ~ ISL9V5036S3ST_SB82170

부품 번호
ISL9V5036S3ST_SB82170
제조사
ON Semiconductor
기술
INTEGRATED CIRCUIT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 ISL9V5036S3ST_SB82170
부품 상태 Obsolete
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 390V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 46A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 10A
전력 - 최대 250W
스위칭 에너지 -
입력 유형 Logic
게이트 차지 32nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C -/10.8µs
시험 조건 300V, 1 kOhm, 5V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 TO-263AB

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