ISL9V5036S3ST_SB82170

INTEGRATED CIRCUIT
ISL9V5036S3ST_SB82170 P1
ISL9V5036S3ST_SB82170 P1
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ON Semiconductor ~ ISL9V5036S3ST_SB82170

Artikelnummer
ISL9V5036S3ST_SB82170
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer ISL9V5036S3ST_SB82170
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 390V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 46A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 10A
Leistung max 250W
Energie wechseln -
Eingabetyp Logic
Gate Ladung 32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -/10.8µs
Testbedingung 300V, 1 kOhm, 5V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AB

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