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| 부품 번호 | IRG7PH42U-EP |
|---|---|
| 부품 상태 | Not For New Designs |
| IGBT 형 | Trench |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 90A |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) | 90A |
| VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| 전력 - 최대 | 385W |
| 스위칭 에너지 | 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 157nC |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 25ns/229ns |
| 시험 조건 | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| 역 회복 시간 (trr) | 153ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-247AD |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | 세부 |
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IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | 세부 |
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IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | 세부 |
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IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | 세부 |
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IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | 세부 | |
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IRG7CH30K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | 세부 | |
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IRG7CH35UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | 세부 |
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IRG7CH35UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | 세부 | |
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IRG7CH37K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | 세부 | |
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IRG7CH42UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | 세부 |
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IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | 세부 | |
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IRG7CH44K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | 세부 |