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| Numero di parte | IRG7PH42U-EP |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 90A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 385W |
| Cambiare energia | 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 157nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/229ns |
| Condizione di test | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 153ns |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH30K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH35UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH37K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH42UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH44K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Dettagli |