RN1309,LF

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
RN1309,LF P1
RN1309,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1309,LF

品番
RN1309,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- RN1309,LF PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス
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製品パラメータ

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品番 RN1309,LF
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
周波数 - 遷移 250MHz
電力 - 最大 100mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
サプライヤデバイスパッケージ USM

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