RN1309,LF

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
RN1309,LF P1
RN1309,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1309,LF

Numero di parte
RN1309,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- RN1309,LF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
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Numero di parte RN1309,LF
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore USM

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