TSM6502CR RLG

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
TSM6502CR RLG P1
TSM6502CR RLG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM6502CR RLG

品番
TSM6502CR RLG
メーカー
Taiwan Semiconductor Corporation
説明
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TSM6502CR RLG PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 TSM6502CR RLG
部品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
電力 - 最大 40W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDFN (5x6)

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