IXFK100N65X2

MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
IXFK100N65X2 P1
IXFK100N65X2 P1
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IXYS ~ IXFK100N65X2

品番
IXFK100N65X2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFK100N65X2.pdf IXFK100N65X2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IXFK100N65X2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 4mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 180nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11300pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 1040W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 30 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-264
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA

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