IXFK100N65X2

MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
IXFK100N65X2 P1
IXFK100N65X2 P1
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IXYS ~ IXFK100N65X2

Artikelnummer
IXFK100N65X2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFK100N65X2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1040W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA

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