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| 品番 | BSC130P03LS G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 150µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 73.1nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3670pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BSC130P03LS G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | - | 5000 | 詳細 |
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BSC130P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | - | 92112 | 詳細 |
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BSC13DN30NSFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 8TDSON | - | 5000 | 詳細 |