BSC130P03LS G

MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
BSC130P03LS G P1
BSC130P03LS G P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Infineon Technologies ~ BSC130P03LS G

Numéro d'article
BSC130P03LS G
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BSC130P03LS G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article BSC130P03LS G
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 73.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3670pF @ 15V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 22.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN

Produits connexes

Tous les produits