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BOM

EPC2031ENGRT

MOSFET NCH 60V 31A DIE
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › EPC2031ENGRT
EPC2031ENGRT P1
EPC2031ENGRT P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

EPC ~ EPC2031ENGRT

品番
EPC2031ENGRT
メーカー
EPC
説明
MOSFET NCH 60V 31A DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- EPC2031ENGRT PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 EPC2031ENGRT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 31A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 15mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 17nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1800pF @ 300V
Vgs（最大） +6V, -4V
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2.6 mOhm @ 30A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die

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