EPC2001C

TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
EPC2001C P1
EPC2001C P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

EPC ~ EPC2001C

品番
EPC2001C
メーカー
EPC
説明
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
EPC2001C.pdf EPC2001C PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 EPC2001C
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 36A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 9nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 900pF @ 50V
Vgs(最大) +6V, -4V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7 mOhm @ 25A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die Outline (11-Solder Bar)
パッケージ/ケース Die

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