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| 品番 | EPC2021ENG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 14mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700pF @ 40V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | 詳細 | |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | 詳細 | |
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EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | 詳細 | |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | 詳細 | |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | 詳細 | |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | 詳細 | |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | 詳細 | |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | 詳細 | |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | 詳細 | |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | 詳細 | |
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EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | 詳細 | |
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EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | 詳細 |