VS-GT300FD060N

IGBT 600V 379A 1250W DIAP
VS-GT300FD060N P1
VS-GT300FD060N P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT300FD060N

Numero di parte
VS-GT300FD060N
fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- VS-GT300FD060N PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte VS-GT300FD060N
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 379A
Potenza - Max 1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 300A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 23.3nF @ 30V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Pacchetto dispositivo fornitore Dual INT-A-PAK

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