VS-GT300FD060N

IGBT 600V 379A 1250W DIAP
VS-GT300FD060N P1
VS-GT300FD060N P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT300FD060N

Numéro d'article
VS-GT300FD060N
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- VS-GT300FD060N PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article VS-GT300FD060N
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Three Level Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 379A
Puissance - Max 1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 300A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 23.3nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Package de périphérique fournisseur Dual INT-A-PAK

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