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| Numero di parte | SQ1922EEH-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 840mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | - | 341970 | Dettagli |